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Abteilung Experimentalphysik/Materialphysik


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Wir suchen engagierte Studierende, die ihren Forschungsbeleg/Bachelorarbeit/Diplomarbeit zu einem Thema der Materialphysik durchführen wollen! Wir beschäftigen uns experimentell mit halbleiterphysikalischen Fragestellungen, vor allem aus dem Materialsystem der III-Nitride. Dabei kommen oft optische Methoden zum Einsatz. Da wir eine neue Gruppe sind, werden unsere Labore neu aufgebaut, was eine Vielzahl von spannenden und anspruchsvollen Aufgaben für studentische Arbeiten ermöglicht. Voraussetzungen für alle Arbeiten sind (in dieser Reihenfolge): Dafür bieten wir: Einige Themen für studentische Arbeiten sind nachfolgend aufgeführt. Weitere Themen sind möglich.
  1. Photoreflektion an (Al)GaN Schichten   (Ansprechpartner: Martin Feneberg)
    Mit intensivem Laserlicht (h ν > Eg) kann die intrinsische Oberflächenbandverbiegung eines Halbleiters verringert werden. Bei Photoreflektion wird dieser Effekt ausgenutzt, um die Reflektivität eines Halbleiters zu modulieren. Messgröße ist also die Änderung der Reflektivität als Funktion der Energie eines Abtast-Strahls, der von einer Lampe generiert wird, was Aufschluss über z. B. elektrische Felder im Halbleiter und freie Exzitonen zulässt. In dieser Arbeit soll die Methode an GaN etabliert werden, um schließlich die Experimente auf AlGaN-Schichten auszuweiten. Die Arbeit kann erweitert werden durch Tieftemperatur-Messungen bzw. den Versuch, Photoreflektion weltweit erstmalig an AlN (Eg ≈ 6 eV, das entspricht λ ≈ 205 nm) durchzuführen.



  2. Hochauflösende Photolumineszenz an III-Nitriden   (Ansprechpartner: Martin Feneberg)
    Hochqualitative Halbleiterstrukturen (hier III-Nitride) emittieren bei Anregung Licht über eine Vielzahl von Emissionsmechanismen. In dieser Arbeit soll der Schwerpunkt auf die Unterscheidung sehr nahe benachbarter Übergänge gelegt werden, die mit Standardausrüstungen nicht aufgelöst werden können. So haben zum Beispiel die charakteristischen Übergänge der neutralen Donatoren Sauerstoff und Silizium in GaN eine Energiedifferenz von weniger als 1 meV, was in vielen Laboren zu Problemen bei deren Unterscheidung führt und schließlich zu fehlerhaften Interpretationen. Diese Experimente werden vor allem bei tiefen Temperaturen (T = 4 K) durchgeführt.

Sprecht bei Interesse einfach mal jemanden von uns an!